Wydajna pamięć masowa flash dla centrów danych

Firma Texas Memory Systems poszerzyła w zeszłym tygodniu ofertę o pamięć masową opartą na układach flash, twierdząc iż jest to obecnie jedno z najszybciej pracujących urządzeń tego rodzaju na świecie.

Pamięć RamSan-620 jest zamknięta w obudowie 2U, może mieć maks. pojemność 5 TB i wykonuje 250 tysięcy operacji I/O w ciągu jednej sekundy. Producent stosuje w pamięci układy flash typu SLC (Single Level Cell). Urządzenie ma przepustowość 3 GB/s, a opóźnienie przy zapisywaniu danych wynosi ok. 80 mikrosekund (czyli jest 60 razy mniejsze niż w przypadku dysków twardych). RamSan-620 pobiera przy tym tylko 325 W mocy.


Aby zainstalować pamięć masową o podobnych parametrach, ale opartą na standardowych dyskach twardych, narażałoby zakupić 500 dysków, a cały taki system pobierałyby co najmniej 7000 W mocy.

RamSan-620 zawiera w podstawowej konfiguracji 2 porty Fibre Channel, a administrator ma możliwość zainstalowania sześciu dodatkowych portów. Rozwiązanie może przesyłać dane w trybie punkt-punkt, jak i obsługiwać topologię sieciową opartą na przełączaniu pakietów.

Texas Memory wprowadził na rynek w zeszłym roku system pamięci masowej flash (RamSan-5000), który można tak rozbudować, aby wykonywał nawet do 2 mln operacji I/O na sekundę (pisaliśmy o tym tutaj).