Samsung - pierwsze na rynku pamięci flash/NAND 20 nm

Samsung wprowadził wczoraj na rynek układy pamięci flash/NAND produkowane przy użyciu technologii 20 nanometrów, wyprzedzając tym samym o krok spółkę joint venture IM Flash Technologies (założoną przez Intel i Micron), która kilka miesięcy temu zaprezentowała podobne układy produkowane przy użyciu technologii 25 nanometrów.

IM Flash podjął produkcję układów pamięci flash/NAND opartych na technologii 25 nm w styczniu br. (czytaj tutaj). Spółka wprowadziła na rynek takie układy pamięci produkowane przy użyciu technologii 34 nm w czwartym kwartale 2008 r. Dla porównania - Samsun uruchomił produkcję układów flash/NAND opartych na technologii 30 nm w październiku 2008 r.

Samsung informuje, że czas zapisywania danych na układach flash/NAND 20 nm udało się skrócić (w porównaniu z układami flash/NAND 30 nm) o ok. 30%. Firma będzie produkować karty SD zawierające układy flash/NAND 20 nm (typu MLC; Multi-Level Cell) o pojemnościach od 4 do 64 GB.

Jeśli chodzi o wolumen produkcji, pierwsze miejsce na rynku układów scalonych zajmuje obecnie Intel, a drugie właśnie Samsung. Podczas gdy Intel jest niekwestionowanym liderem na rynku mikroprocesorów, Samsung specjalizuje się w produkcji układów pamięci RAM i flash/NAND.

Czytaj również "Micron zapowiada pamięci SSD/flash z interfejsem SATA 3.0".