HP i Hynix będą produkować pamięci memrystor

Hewlett-Packard i Hynix Semiconductor zawarły porozumienie, które przewiduje, że firmy przystąpią do prac nad nowym rodzajem pamięci (memrystor; ang. memristor) i opracują technologię produkcji tego rodzaju układów, tak aby można je było za trzy lata wprowadzić na rynek.

Zadecydowano już, że komercyjny produkt oparty na tej technologii będzie nosić nazwę Resistive Random Access Memory (ReRAM). Memristor to skrót powstały z dwóch słów: resistor i memory. Naukowcy twierdzą, że memrystor jest jednym z czterech biernych elementów elektronicznych, o istnieniu którego nie wiedziano do niedawna. Znane powszechnie do tej pory bierne elementy elektroniczne to cewka, kondensator i opornik.

Prace nad tą technologią prowadzi od wielu lat firma HP sądząc cały czas, że będzie ją można wykorzystać tylko do produkowania układów pamięci. Jednak kilka miesięcy temu naukowcy stwierdzili, że na bazie tej technologii będzie można w przyszłości budować również układy logiczne, czyli jednostki CPU. Jednak na razie firma koncentruje swoją uwagę na układach pamięci ReRAM.

ReRAM to nieulotna pamięć, która ma szansę zastąpić układy NAND/flash stosowane w pamięciach masowych SSD. HP informuje, że pamięci ReRAM pobierają dużo mniej energii niż flash i są od nich szybsze, nie podając jednak żadnych szczegółów.



Wiadomo natomiast, że pamięci ReRAM są dużo trwalsze niż pamięci flash, gdyż ich żywotność szacuje się na milion cyklów pisania/czytanie danych. W przypadku pamięci flash jest to tylko 100 tys. takich cyklów. Wiadomo też, że układy ReRAM będą produkowane na bazie standardowych wafli krzemu o średnicy 300 mm. Na zdjęciu powyżej widać układ z 17 elementami memrystor.