Wiadomości
IBM :Racetrack Memory - pamięć półprzewodnikowa o pojemności twardego dysku
IBM poinformował na konferencji IEEE, że opracował układ Racetrack Memory, który pozwoli w przyszłości produkować pamięci półprzewodnikowe o pojemnościach odpowiadających dyskom twardym, pracujące jednocześnie tak wydajnie i mające taką żywotność jak pamięci typu flash.
Racetrack Memory
Zobacz też:
- IBM zaprezentował najszybszy na świecie tranzystor grafenowy
- Przyszłość z laboratorium, czyli technologie za 10-20 lat
- PCM - IBM ogłasza przełom w produkcji pamięci
Zbudowany przez IBM układ zawiera 256 komórek Racetrack. Firma przetestowała układ (zapisując w nim, a następnie odczytując dane) i twierdzi, że rozwiązanie pracuje tak szybko jak standardowe pamięci DRAM. Prawie wszystkie dostępne obecnie układy elektroniczne są produkowane przy użyciu technologii CMOS (Complementary-symmetry Metal-Oxide-Semiconductor). Odkrycie jest ważne z jeszcze jednego powodu. IBM twierdzi, że układy Racetrack Memory można integrować z technologią CMOS, używając wafli o wielkości ośmiu cali.
Firma informuje, że układy Racetrack Memory mają dużo większą żywotność niż stosowane obecnie układy pamięci NAND/flash, które są używane w napędach SSD i kartach pamięci flash instalowanych w telefonach komórkowych oraz tabletach. Żywotność pamięci NAND/flash klasy konsumenckiej jest ograniczona do ok. 4 tys. cykli wymazywania/zapisywania danych, podczas gdy pamięci flash instalowane w produktach klasy "enterprise" mają żywotność rzędu 50 do 100 tys. cykli wymazywania/zapisywania danych. W przypadku pamięci Racetrack Memory dane można zapisywać nieograniczoną ilość razy. Jest to możliwe dzięki temu, że w pamięciach Racetrack zmienia się wtedy stan magnetycznej domeny, podczas gdy w pamięciach flash operacja zapisywania danych wymaga przenoszenia ładunków elektrycznych, co prowadzi ostatecznie do degradacji materiału.
Naukowcy pracują obecnie nad kilkoma innymi technologiami, które mogą w przyszłości zastąpić układy NAND/flash. Są to np. pamięci grafenowe czy układy typu PCM (Phase-Change Memory). Póki co, są to wszystko technologie testowane na razie tylko w laboratoriach. Są to jednak ważne badania, ponieważ według specjalistów pamięci NAND/flash nie da się dalej rozwijać i zmniejszać z powodu jednego istotnego ograniczenia. W układach takich ściany oddzielające poszczególne komórki stają się wtedy tak cienkie, że elektrony przeciekają przez nie, co powoduje iż układ zaczyna generować bardzo dużo błędów, tak wiele iż systemy korekcji błędów na niewiele się zdają.
Komentarze (0)
- Prawo Moore’a zagrożone?
- Bezpieczeństwo WiFi - bezprzewodowe testy penetracyjne
- Wirtualizacja: obsługa SMB na czterech U
- Open source: zmierzch ery GPL? Nie do końca...
- ROVER - prosty sposób na słabość BGP?
- Zaawansowane stacje Wi-Fi Ruckus Wireless
- Rozstanie z Javą nie będzie proste
- Google Drive uwypukla słabe strony publicznych chmur obliczeniowych
- Serwery "zombie" w centrum danych
- Microsoft Office 15 będzie obsługiwał standard ODF 1.2
Reklama
Huawei celuje w rynek biznesowy
Huawei nieustannie rozwija się jako dostawca infrastruktury dla branży telekomunikacyjnej. W tym roku chiński koncern zamierza umocnić swoją pozycję również na rynku rozwiązań Enterprise.
Polecane
Koniec Windows XP początkiem problemów?
Microsoft oficjalnie potwierdził, że za dwa lata definitywnie zakończy się era Windows XP - systemu operacyjnego,...
Spokój i luz administratora
Wymagania wobec pracowników działów IT rosną proporcjonalnie do stopnia rozwoju teleinformatyki. Oczekuje się, że...